碳化硅场效应晶体管是采用第三代半导体材料碳化硅为衬底制造的场效应晶体管产品，得益于碳化硅衬底的材料优异特性，使得产品具有超越硅基产品的性能：
电压：600~1700V
电流：2~200A
导通电阻：低至20mΩ
产品充分发挥了碳化硅材料的高击穿场强、高热导率、更宽禁带，使得它可以应用在需要耐高压高温的电源管理系统中如：开关、放大、DC/DC 电路、DC/AC 电路、浪涌抑制、电机驱动。