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振华科技高端功率半导体产业实现新突破

—— 2018-07-16 11:14:00来源:振华科技

本网讯  日前,绝缘栅双极晶体管(IGBT)芯片及其模块产品在振华科技所属企业振华永光研发成功,标志着振华科技在高端功率半导体产业实现了新的突破,为企业产品结构调整升级奠定了坚实基础。
      IGBT作为电力电子领域的“CPU”,是工业控制和国防领域重要的基础器件,已成为整机系统提高性能指标和节能指标的首选产品,广泛应用于武器装备、航天、航空、变频电机、新能源汽车、可再生能源发电等领域。
      近年来,振华科技积极布局高端功率半导体产业,在IGBT芯片及模块研发方面开展了卓有成效的工作,形成了自主研制国际主流技术水平的沟槽栅+场截止技术的IGBT芯片能力,成功研制出1200V/100A的IGBT芯片,电参数指标已达到国际知名企业同款产品水平。同时,依托振华永光五十多年来成熟的半导体分立器件封装、测试、可靠性筛选技术,先后攻克了超大面积芯片低空洞率焊接、高可靠键合工艺以及无气泡灌封等功率模块封装方面的关键技术,成功研制出600V/200A、400A、600A,1200V/450A等多种封装外形的IGBT模块,具备了自主设计、制造中低压(600~1700V)IGBT模块产品能力,并初步建成高压大功率模块动、静态电参数测试和可靠性筛选测试平台。目前,600V/200A、400A IGBT模块已提交2家用户试用。
      下一步振华科技将加大投入,一方面在成都成立IGBT产业化技术中心,另一方面将启动IGBT芯片背面加工生产线和模块封装生产线建设, 用1~2年的时间推动IGBT芯片和模块商业化应用,形成600V~1700V 系列化IGBT芯片设计、制造、封装、测试、应用产业链,以抢占我国IGBT产业高地。(文/孟繁新)

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